DL-APDI 系列雪崩光电探测器集成了高速响应的雪崩光电二极管(APD)、低噪声放大器及高压供电模块,其中APD 是通过施加反向电压产生的具有内部增益的光电二极管,相对于标准 PIN 光电探测器,雪崩光电探测器具有更高的信噪比 (SNR)、快速响应、更低噪声和高灵敏度的特点,非常适合于低光功率级别的应用,主要应用于微弱光信号接收、光纤传感系统、空间光通信等领域。
Dimension-Labs 提供工作波长320 nm-1000nm的Si雪崩光电探测器和工作波长850 nm-1650 nm的InGaAs雪崩光电探测器,模块输入光接口分为FC/APC光纤接口和自由空间耦合两种,电信号由SMA端口输出。
产品特点
光谱范围涵盖 320 - 1650nm
带宽最高可达 10GHz
低噪声
高增益
应用场景
弱光检测
光纤传感系统
空间光通信
技术简介
一般而言,雪崩光电二极管利用内部增益机制来增加灵敏度。将一个较高的反向偏压施加到该二极管来产生强电场。当入射光子产生一个电子空穴对时,电场使电子加速,导致由碰撞电离产生次级电子。所产生的电子雪崩将产生几百倍的增益因子,用倍增因子M表示,M与反向偏压和温度呈函数关系。一般而言,M因子随温度降低而增大,随温度升高而减小。类似地,M因子将在反向偏置电压升高时增大,在反向偏置电压降低时减小。
与其他二极管相比,使用雪崩方法提供额外性能的二极管称为雪崩光电二极管。雪崩光电二极管将光信号变为电信号,可以在高反向偏压下工作。雪崩光电二极管的符号是类似齐纳二极管。雪崩击穿主要发生在光电二极管承受最大反向电压时,该电压增强了耗尽层之外的电场。当入射光穿透 p+ 区域时,它会在电阻极大的 p 区域内被吸收,然后生成电子-空穴对。只要存在高电场,电荷载流子包括其饱和速度就会漂移到 pn+ 区域。当速度最高时,载流子将通过其他原子碰撞并产生新的电子-空穴对,巨大的电荷载流子对将导致高光电流。
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硅基雪崩光电探测器
Dimension-Labs提供一系列的硅(Si)带放大光电探测器; 特征: ● 波长范围可选:320-1100 nm,400-1100 nm ● 固定或可调增益的低噪声放大器 ● 负载阻抗:50 Ω或以上 ● 自由空间光学输入和光纤耦合输入
已选0件物料,总价(含税):¥0.00
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铟镓砷雪崩光电探测器
Dimension-Labs提供一系列的铟镓砷(InGaAs)带放大光电探测器; 特征: ● 波长范围:850到1650 nm ● 固定或可调增益的低噪声放大器 ● 负载阻抗:50 Ω或以上 ● 自由空间光学输入和光纤耦合输入
已选0件物料,总价(含税):¥0.00